Фотоэлектрические структуры на основе нанопористого p-InP

ДИКУСАР, А. И.; БРУК, Л. И.; МОНАЙКО, Э. В.; ШЕРБАН, Д. А.; СИМАШКЕВИЧ, А. В.; ТИГИНЯНУ, И. М.

dc.contributor.author	ДИКУСАР, А. И.
dc.contributor.author	БРУК, Л. И.
dc.contributor.author	МОНАЙКО, Э. В.
dc.contributor.author	ШЕРБАН, Д. А.
dc.contributor.author	СИМАШКЕВИЧ, А. В.
dc.contributor.author	ТИГИНЯНУ, И. М.
dc.date.accessioned	2020-10-02T12:39:19Z
dc.date.available	2020-10-02T12:39:19Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	ДИКУСАР, А. И., БРУК, Л. И., МОНАЙКО, Э. В. et al. Фотоэлектрические структуры на основе нанопористого p-InP. In: Электронная обработка материалов. 2008, nr. 1, pp. 4-9. ISSN 0013-5739.	en_US
dc.identifier.issn	0013-5739
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/10354
dc.description.abstract	Наноструктурированная поверхность представляет собой предельный случай текстурирования. Такая поверхность обладает максимальной величиной поверхности, поэтому изучение возможности использования полупроводниковых материалов с наноструктурированной активной поверхностью в фотоэлектрических приборах представляется весьма актуальным. В связи с этим целью настоящей работы явилось исследование возможности получения гетероструктур на основе проводящих прозрачных для солнечного излучения окислов ITO, SnO2 и p-InP с нанопористой поверхностью, а также соответствующих фотовольтаических элементов, в изготовлении которых при использовании фосфида индия с гладкой поверхностью у авторов имеется достаточный опыт.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Academia de Ştiinţe a Moldovei	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	полупроводниковые материалы	en_US
dc.subject	наноструктурированная поверхность	en_US
dc.subject	нанопористая поверхность	en_US
dc.subject	фотовольтаические элементы	en_US
dc.title	Фотоэлектрические структуры на основе нанопористого p-InP	en_US
dc.type	Article	en_US