Sunt expuse rezultatele investigaţiilor asupra conductibilităţii și stabilităţii iradiaţionale ale monocristalelor de ZnIn2S4 într-o bandă largă de energii ale electronilor incidenţi (30÷75 keV) și, respectiv, doze (1014÷1019) cm–2. Se analizează posibilitatea confecţionării detectoarelor de electroni acceleraţi și se apreciază parametrii acestora. Luând în consideraţie faptul că valorile energiilor de ordinul 102 keV sunt în apropierea pragului de formare intensivă a defectelor structurale, se analizează influenţa acestui fenomen asupra parametrilor detectorului.
This study presents the results of investigations on the irradiation conductivity and stability of single crystals ZnIn2S4 in a wide range of incident electron energies (30÷75 keV) and the respective doses (1014÷1019) cm–2. It considers the possibility of manufacturing accelerated electron detectors and assesses their parameters. Considering that the energy values of the order 102 keV are near the threshold of intensive formation of structural defects, the influence of this phenomenon on the detector parameters is subject to analysis.