Proprietăți optice ale compozitului Ga2O3-Ga2S3

Abstract

Compusul Ga2S3 aparține la clasa materialelor semiconductoare cu defecte structurale proprii. În rețeaua cristalină vacanțele reprezintă 1/3 din nodurile cationice. Acest material se cercetează intens ultimii ani datorită lățimii benzii interzise (Eg ≃ 3,2 eV), fotosensibilității în regiunea UV, fotoluminescenței în regiunea violet-albastru a spectrului, proprietății de adsorbție a oxigenului. Ga2S3 se consideră ca material de perspectivă în domeniul opticii neliniare și a electronicii cuantice [1-5]. Ga2S3 posedă proprietăți principial noi în nanoparticulele și nanofire [6-7]. Ga2O3 fiind un semiconductor cu conductibilitate electrică de tip n și transmitanță optică în regiunea UV-VIS superioară celei a oxidului ITO, poate servi ca electrod transparent optic în dispozitivele optoelectronice. În [6] prin TT al nanofirelor de Ga2O3 în atmosferă de H2S s-a obținut un material compozit (Ga2O3-Ga2S3) cu fotoluminescență intensă în regiunea albastru-violet a spectrului. FL acestuia depinde de temperatura. În intervalul de temperaturi 670-870K intensitatea FL este în creștere odată cu temperatura. În lucrare se studiază spectrele de absorbție și fotoluminescența cristalelor de Ga2S3 și a compozitului Ga2O3-Ga2S3 obținut prin TT al monocristalelor de Ga2S3 în atmosferă normală.