Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge

ЦИУЛЯНУ, Д. И.

dc.contributor.author	ЦИУЛЯНУ, Д. И.
dc.date.accessioned	2021-01-25T14:25:54Z
dc.date.available	2021-01-25T14:25:54Z
dc.date.issued	1986
dc.identifier.citation	ЦИУЛЯНУ, Д. И. Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge. In: Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1986, V. 20, Iss. 10, pp. 1900–1902. ISSN 0015-3222.	en_US
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/12562
dc.description.abstract	В настоящей работе приводятся экспериментальные данные, показывающие, что в случае твердых растворов системы As2S3—Ge уменьшение Ед действительно происходит за счет сдвига только одной, а именно валентной зоны.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Ioffe Institute, RAS	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	glassy semiconductors	en_US
dc.subject	semiconductors	en_US
dc.subject	chalcogenide semiconductors	en_US
dc.subject	стеклообразные полупроводники	en_US
dc.subject	полупроводники	en_US
dc.subject	халькогенидные полупроводники	en_US
dc.title	Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge	en_US
dc.type	Article	en_US