dc.contributor | Universitatea Tehnică a Moldovei | |
dc.contributor.author | NISTIRIUC, Pavel | |
dc.contributor.author | SCUTARI, Georgeta | |
dc.contributor.author | BEJAN, Victor | |
dc.contributor.author | DEŞANU, Pintilie | |
dc.contributor.author | NISTIRIUC, Ion | |
dc.contributor.author | BEJAN, Nicolae | |
dc.date.accessioned | 2021-04-13T09:16:58Z | |
dc.date.available | 2021-04-13T09:16:58Z | |
dc.date.issued | 2000-05-31 | |
dc.identifier.citation | NISTIRIUC, Pavel, SCUTARI, Georgeta, BEJAN, Victor et al. Criotron acustoelectronic. Brevet MD 1481, H01L 41/08. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: 99-0068. Data depozit: 1999.02.17. Data public.: 2000.05.31. | en_US |
dc.identifier.other | Nr. depozit: 99-0068 | |
dc.identifier.uri | http://www.db.agepi.md/Inventions/details/99-0068 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/14130 | |
dc.description.abstract | Invenţia se referă la domeniul electronicii şi este destinată dispozitivelor de memorie şi de comutare utilizate în tehnica de calcul şi de comutare. Criotronul acustoelectronic este constituit dintr-o bază din Pb, pe care succesiv sunt depuse un strat de absorbţie a undelor acustice de suprafaţă, un strat redresor executat din ceramică supraconductoare şi un strat de dirijare executat din piezocristal, în centrul căruia este depus un traductor interdigital din Cr-Al, totodată între stratul de dirijare şi stratul redresor, din două părţi, sunt depuse contacte transversale din Cr-Cu, iar pe celelalte două părţi ale straturilor redresor şi de dirijare este amplasată o acoperire absorbantă. În calitate de piezocristal este utilizat GaAs, iar în calitate de ceramică supraconductoare -YBa2Cu3O7. Rezultatul tehnic constă în sporirea volumului de transmisie şi prelucrare a informaţiei în tehnica de calcul şi de comutare. | en_US |
dc.description.abstract | The invention relates to the electronics and is provided for memory and commutation devices utilized in the computer and commutation engineering. The acoustoelectronic cryotron comprises a base of Pb onto which are successively applied a layer absorbing the surface acoustic waves, a barrier layer of superconducting ceramics and a control layer, made of piezocrystal, in the center of which is applied an interdigital transformer of Cr-Al, between the barrier and control layers from two sides are being applied transversal contacts of Cr-Cu and on the other two sides of the barrier and control layers is placed an absorbent coating. As piezocrystal is used GaAs and as superconducting ceramics -YBa2 Cu3 O7 . The technical result consists in increasing the information transmission and processing volume into the computer and commutation engineering. | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală (AGEPI) | en_US |
dc.rights | Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2019. 02. 17. | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | invenţii | en_US |
dc.subject | brevete de invenţie | en_US |
dc.subject | criotroane acustoelectronice | en_US |
dc.subject | dispozitive de memorie | en_US |
dc.subject | dispozitive de comutare | en_US |
dc.subject | memory devices | en_US |
dc.subject | commutation devices | en_US |
dc.subject | acoustoelectronic cryotrons | en_US |
dc.subject.classification | IPC: H01L 41/08 (2006.01) | en_US |
dc.title | Criotron acustoelectronic | en_US |
dc.type | Patent | en_US |
The following license files are associated with this item: