Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor

Abstract

Dispozitivul include o sursă de tensiune de referinţă reglabilă conectată la ieșirea unui microcontroler și unită în serie cu senzorul cercetat și un rezistor de referinţă, punctul de legătură al căruia cu senzorul cercetat este conectat la intrarea microcontrolerului. Metoda constă în măsurarea tensiunii sursei de tensiune de referinţă, măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul de referinţă, calcularea căderii de tensiune pe senzor. Se calculează valoarea curentului care trece prin nanostructură, puterea aplicată pe nanostructură și se setează valoarea tensiunii de referinţă astfel, încât puterea să nu depășească valoarea maxim admisibilă.

The device comprises an adjustable reference voltage source connected to the output of a microcontroller and connected in series to the investigated nanostructured sensor and to the reference resistor, the connection point of which to the investigated sensor is connected to the input of the microcontroller. The method consists in: measuring the voltage of the reference voltage source, measuring the voltage drop across the reference resistor, calculating the voltage drop across the investigated nanostructure. Current fl owing through the nanostructure and the applied power to the nanostructure are calculated and it is set the value of the reference voltage so that the electrical power will not exceed the maximum permitted value.