Ме-ZnP2 diodă sensibilă la giraţie optică

Abstract

Dispozitivul reprezintă o diodă Schottky bazată pe o structură Me-ZnP2, obţinută prin depunerea electrochimică a metalului și prin pulverizarea termochimică în vid. Principiul de funcţionare se bazează pe efectul girotropiei optice și polarizabilitatea neliniară a cristalului în intervalul de lungimi de undă de 450-800 nm. Caracteristicile fotoelectrice ale diodei și fotocurentul depind de polarizarea radiaţiei incidente și a tensiunii aplicate. Dispozitivul poate fi utilizat pentru studierea dispersiei modale de polarizare, orientarea exactă a obiectelor în spaţiu și alte aplicaţii din industrie.

The device represents a Schottky diode based on Ме-ZnP2 structure obtained by electrochemical deposition of metal and by thermo-chemical spraying in vacuum. The operating principle is based on optical gyrotropy effect and nonlinear crystal polarizability in the wavelength range 450-800 nm. The diode’s LIV characteristics and photocurrent depend on the polarization of incident light and applied voltage. The device can be used for studying the polarization mode dispersion, exact orientation of objects in space and other industry applications.