Dependencies of SPICE LEVEL3 parameters on irradiation

Abstract

The paper presents the experimental results of SPICE LEVEL3 parameter dependencies upon irradiation. Their degradation upon irradiation is determined by adjusting the oxide, oxide-semiconductor interface and oxide-metal parameters. The characteristics of bipolar and MOS elements before and after irradiation were simulated on the basis of he received results. The discrepancy between the experimental curves and those obtained by simulation differ by about 3%, which confirms that the mathematical parameter extraction model is adequate to the investigated processes.

În lucrare sunt prezentate rezultatele experimentale ale dependenţelor parametrilor SPICE LEVEL3 la iradiere. Degradarea acestora la iradiere este determinată de modificarea parametrilor oxidului, interfeţei oxid–semiconductor şi oxid–metal. Pe baza rezultatelor obţinute au fost simulate caracteristicele elementelor bipolare şi MOS până şi după iradiere. Neconcordanţa dintre curbele experimentale şi cele obţinute prin simulare diferă cu aproximativ 3%, ceea ce confirmă că modelul matematic de extragere a parametrilor este adecvat proceselor cercetate.

Dans l’oeuvre sont présentés les résultats expérimentaux des dépendances des paramètres SPICE LEVEL3 pendant l’irradiation. La dégradation de ceux-ci pendant l’irradiation est déterminée par la modification des paramètres de l’oxyde, de l’interface oxydsemiconducteur et oxyd-métal. A base des résultats obtenus, on a simulé les caractéristiques des éléments bipolaires et MOS jusqu’à l’irradiation et après celle-ci. La non concordance entre les courbes expérimentales et celles obtenues par la simulation est de presque 3%, ce qui confirme que le modèle mathématique d’extraction des paramètres est adéquat aux processus de recherche.

В данной работе представлены экспериментальные результаты параметров SPICE LEVEL3 от облучении. Деградация параметров после облучения обусловлены изменением параметров оксида, границе раздела оксид-полупроводник и оксид-металл. На основе полученных результатов были смоделированы характеристики биполярных и МОП- элементов до и после облучения. Отклонение экспериментальных и расчетных характеристик не превышает 3%, что подтверждает применимость математической модели экстракции параметров и точность полученных результатов моделирования.