dc.contributor.author | UNTILA, Dumitru | |
dc.contributor.author | SPRINCEAN, Veaceslav | |
dc.contributor.author | CARAMAN, Mihail | |
dc.contributor.author | CARAMAN, Iuliana | |
dc.contributor.author | TIGHINEANU, Ion | |
dc.contributor.author | COJOCARU, Ala | |
dc.contributor.author | LUPAN, Oleg | |
dc.contributor.author | PALACHI, Leonid | |
dc.date.accessioned | 2019-05-15T10:44:34Z | |
dc.date.available | 2019-05-15T10:44:34Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | UNTILA, Dumitru, SPRINCEAN, Veaceslav, CARAMAN, Mihail et al. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2S3. In: Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică: proc. of the 6th intern. conf., May 24-27, 2018. Chişinău, 2018, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4. | en_US |
dc.identifier.isbn | 978-9975-45-540-4 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/2468 | |
dc.description.abstract | Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman. | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Tehnica UTM | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | monocristale | en_US |
dc.subject | monocrystals | en_US |
dc.title | Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2S3 | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: