dc.contributor.author | CERCEL, Arcadie | |
dc.contributor.author | IZVOREANU, Bartolomeu | |
dc.contributor.author | FIODOROV, Ion | |
dc.contributor.author | BARANOV, Simion | |
dc.date.accessioned | 2024-01-15T07:43:41Z | |
dc.date.available | 2024-01-15T07:43:41Z | |
dc.date.issued | 2009 | |
dc.identifier.citation | CERCEL, Arcadie et al. Sistem de control automat a parametrilor stratului epitaxial din GaAs. In: Microelectronics and Computer Science: proc. 6th International Conference, 1-3 Oct. 2009, Chişinău, Republica Moldova, vol. 1, 2009, pp. 382-385. ISBN 978-9975-45-045-4. ISBN 978-9975-45-122-2 (vol. 1). | en_US |
dc.identifier.isbn | 978-9975-45-045-4 | |
dc.identifier.isbn | 978-9975-45-122-2 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/25832 | |
dc.description.abstract | În lucrarea de faţă se prezintă un dispozitiv de comandă şi achiziţie de date pentru aparatul de măsură E7-12, ce permite racordarea acestuia la calculatorul personal. Scopul urmărit a fost automatizarea măsurărilor necesare pentru determinarea parametrilor stratului epitaxial din arseniură de galiu. Obţinerea parametrilor stratului epitaxial se face prin metoda volt-faradică. Dispozitivul setează tensiunea de polarizare cu pasul 0.1 V în intervalul 0-1 V şi cu pasul 1 V în intervalul 1-40 V. Pentru fiecare din aceste valori ale tensiunii, dispozitivul va cere de la aparatul de măsură valoarea capacităţii C şi a tangentei unghiului de pierderi D. Aceste valori vor fi trimise în calculator, va fi construită caracteristica volt-faradică şi vor fi determinaţi parametrii stratului epitaxial: concentraţia purtătorilor de sarcină, grosimea stratului, tensiunea de străpungere. Pentru a putea comunica cu aparatul de măsură a fost necesară implementarea protocolului GPIB (General Purpose Interface Bus). La baza dispozitivului proiectat se află un microcontrolor AVR – Atmega8. | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Technical University of Moldova | en_US |
dc.relation.ispartof | Proceeding of the 6th International Conference on "Microelectronics and Computer Science", oct.1-3, 2009, Chişinău, Moldova | |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | control automat | en_US |
dc.subject | aparate de măsurat | en_US |
dc.subject | metoda volt-faradică | en_US |
dc.subject | protocoale | en_US |
dc.subject | straturi epitaxiale | en_US |
dc.subject | arseniură de galiu | en_US |
dc.title | Sistem de control automat a parametrilor stratului epitaxial din GaAs | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: