Metodă de creștere orientată a monocristalelor în microfirul din material anizotrop de exemplu Bi și aliaje Bi Sb acoperit cu un înveliș de sticlă în câmp electric puternic

Abstract

Invenţia se referă la domeniul știinţei materialelor și nanotehnologiei, dar mai exact la posibilităţile de obţinere a unui microfir monocristalin în înveliș de sticlă cu o lungime arbitrară și parametri predeterminaţi. Obiectivul invenţiei este dezvoltarea tehnologiei de recristalizare a microfirului în înveliș de sticlă cu scopul final de a obţine orientarea necesară a axei cristalografice principale C3 în microfir. Metoda conform invenţiei constă în aceea, că microfirul care să deplasează este încălzit pînă temperatura de topire a miezului cu formarea unei zone topită îngustă. Zona menţionată mai sus se deplasează de-a lungul mișcării microfirului în interiorul condensatorului, format din două plăci de cupru care generează un câmp electric puternic, unde cu ajutorul cristalizatorului cu apă să cristalizează cu direcţia axei cristalografice principale C3 a microfirului în direcţia câmpului electric.

The invention relates to the field of materials science and nanotechnology, but more specifically to the possibilities of obtaining a monocrystalline microwire in glass envelope with an arbitrary length and predetermined parameters. The object of the invention is to develop the technology of recrystallization of the microwire in the glass envelope with the final aim to obtain the necessary orientation of the main crystallographic axis C3 in the microwire. The method according to the invention consists in that the moving microwire is heated to the melting temperature of the core with the formation of a narrow molten zone. The abovementioned area moves along the microwire motion inside the capacitor, consisting of two copper plates that generate a strong electric field, where by means of the water crystallizer crystallize with the direction of the main crystallographic axis C3 of the microwire in the direction of the electric field.