Stabilitatea iradiaţională a compuşilor semiconductori de tipul AII BIII 2 CVI 4

Abstract

În prezenta lucrare sunt prezentate rezultatele experimentale, privind apariţia defectelor în ZnIn2S4 la iradierea lui cu energii până la zona de prag. Pentru depistarea schimbărilor iradiaţionale asupra proprietăţilor optice şi fotoelectrice ale acestui compus au fost efectuate măsurări ale muchiei fundamentale de absorbţie optică, fotoconductibilităţii, fotoluminescenţii, atât a probelor iniţiale, cît şi a celor iradiate.

In these worn are presented the experimental results regarding the defects detections in ZnIn2S4 semi-conductors irradiated below the threshold. To observe the irradiation variation of optic an photoelectric properties of semi-conductors. Mentioned below the wine madly measures of optic absorption, of photo conductibility an of photo luminosity of irradiation an uniradiation probes. The obtained results were compared with the results for otter semi-conductor materials.

Dans ce ouvre sont présentes le résultats expérimentaux sur l’apparition des défaut dans les semi-conducteurs ZnIn2S4 irradiés avec des énergie jusqu’à la zone de seul. Pur l’observation des variations irradiationnele sur le propriétés optiques e photoélectriques des semi-conducteurs de ci dessus in a effectué des investigations expérimentales sur l’absorption optique , la photo conductibilité et la photo luminescence des échantillons irradiés e no irradiés.

В данной работе представлены экспериментальные результаты по дефекто-образования ZnIn2S4 при облучении пучками ускоренные электронов с допороговыми энергиями. Для выявления влияния облучения на свойства исследуемых образцов были проведены комплексные исследования оптического поглощения (прозрачности), фотопроводимости и фотолю-минесценции как для исходных так и для облученных образцов. Результаты обсуждаются и сравниваются с аналогичными для других известных полупроводниковых материалов.