Luminescenţa compuşilor ternari de tipul AII B2III c4VI la nivel înalt de excitare

Abstract

În prezenta lucrare se descrie instalaţia pentru cercetarea luminescenţei compuşilor ternari în baza ZnxInxS3+x, sub influenţa razelor X şi se analizează datele experimentale. Se propune modelul de transmitere a energiei către centru luminescent.

In this article on the describe plumbing for research, the luminescence of components under influence of X rays and analysis of dates experienced. On suggest mode of remittance of the energies toward centre luminescent.

Dans l’article on décri l’installation pour la recherche de la luminescence des composants triple qui sont sous l’influence des rayons X et l’analyse des dattes expérimentale on propose les moyen de transmettre l’énergie vers le centre luminescent.

Описывается установка для исследования люминесценции сложных полупроводников типа AII B2III c4VI, ZnxInxS3+x под действием рентгеновских лучей. Обсуждаются экспериментальные результаты, и предлагается модель передачи энергии возбуждающего излучения к центру люминесценции.