dc.contributor.author | СТАМОВ, Иван | |
dc.date.accessioned | 2019-10-21T16:11:02Z | |
dc.date.available | 2019-10-21T16:11:02Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier.citation | СТАМОВ, Иван. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка. In: Microelectronics and Computer Science: proc. of the 8th intern. conf., October 22-25, 2014. Chişinău, 2014, pp. 188-191. ISBN 978-9975-45-329-5. | en_US |
dc.identifier.isbn | 978-9975-45-329-5 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/4972 | |
dc.description.abstract | Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов на α и β модификациях дифосфида цинка. Изучены анизотипные p(β) – n(α) и изотипные n1(β) – n2(α) структуры. Показано, что спектральные характеристики фототока определяются электронными переходами в каждой из фаз, ориентацией плоскости поляризации и волнового вектора излучения относительно кристаллографических направлений фаз в структуре и границы раздела гетероперехода. Обнаружены особенности в спектральной характеристике фототока, связанные, с дефектами слоев и границы раздела гетероперехода. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | Tehnica UTM | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | гетеропереходы | en_US |
dc.subject | полиморфизм | en_US |
dc.subject | эпитаксия | en_US |
dc.subject | фотоэлектрические свойства | en_US |
dc.title | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: