Генерация терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках

ХАДЖИ, П. И.; БЕЛОУСОВ, И. В.; КОРОВАЙ, А. В.; МАРКОВ, Д. А.; КОРОВАЙ, О. В.

Home
→
Facultatea Electronică şi Telecomunicaţii
→
Conferinţa Internaţională "Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică" - ICTEI
→
2012
→
View Item

dc.contributor.author	ХАДЖИ, П. И.
dc.contributor.author	БЕЛОУСОВ, И. В.
dc.contributor.author	КОРОВАЙ, А. В.
dc.contributor.author	МАРКОВ, Д. А.
dc.contributor.author	КОРОВАЙ, О. В.
dc.date.accessioned	2019-12-05T08:55:57Z
dc.date.available	2019-12-05T08:55:57Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	ХАДЖИ, П. И., БЕЛОУСОВ, И. В., КОРОВАЙ, А. В. et al. Генерация терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках. In: Telecommunications, Electronics and Informatics- ICTEI 2012: proc. of the 5th intern. conf., Technical University of Moldova, May 11-13, 2012. Chișinău, 2012, Vol. 1, pp. 139-144. ISBN 978-9975-45-082-9.	en_US
dc.identifier.isbn	978-9975-45-082-9
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/7269
dc.description.abstract	A new mechanism of the generation (amplification) of terahertz radiation in semiconductors is proposed, which is based on the quantum transitions between two-exciton and biexciton under conditions of single-photon excitation from the ground state of a crystal.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Technical University of Moldova	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	terahertz radiation	en_US
dc.subject	semiconductors	en_US
dc.subject	excitons	en_US
dc.subject	терагерцовое излучение	en_US
dc.subject	экситон	en_US
dc.subject	полупроводники	en_US
dc.title	Генерация терагерцового излучения в процессе резонансного возбуждения экситонов в полупроводниках	en_US
dc.type	Article	en_US