dc.contributor.author | BĂJENESCU, Titu-Marius I. | |
dc.date.accessioned | 2020-01-31T14:19:21Z | |
dc.date.available | 2020-01-31T14:19:21Z | |
dc.date.issued | 2019 | |
dc.identifier.citation | BĂJENESCU, Titu-Marius I. Future trends in power electronic devices. In: Journal of Engineering science. 2019, vol. 26(4), pp. 67-77. ISSN 2587-3474. EISSN 2587-3482. | en_US |
dc.identifier.issn | 2587-3474 | |
dc.identifier.issn | 2587-3482 | |
dc.identifier.uri | https://www.doi.org/10.5281/zenodo.3591592 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/7987 | |
dc.description.abstract | The recent technological progress of semiconductors and increasing demand for power electronic devices in the different domains of electric energy particularly for applications in aeronautics and networks of transport and distribution impose new specifications such as high frequencies, high voltages, high temperatures and high current densities. All of this contributes in the strong development of power devices. To this end, separation techniques for low-resistivity films should be developed, as well as thick-film growth technologies, including hot filament CVD on insulating wafers. The article outlines the evolution of semiconductor manufacturing, current applications and perspective. | en_US |
dc.description.abstract | Progresul tehnologic recent al semiconductorilor și creșterea cererii de dispozitive electronice de putere în diferite domenii ale energiei electrice, în special pentru aplicaţiile aeronautice și reţelele de transport și distribuţie impun noi specificaţii, cum ar fi frecvenţe înalte, tensiuni și temperature ridicate, densităţi mari de curent. Toate acestea contribuie la dezvoltarea puternică a dispozitivelor de alimentare. În acest scop, ar trebui dezvoltate tehnici de separare pentru pelicule cu rezistivitate scăzută, precum și tehnologii de creștere a filmelor groase, inclusiv CVD cu filament fierbinte pe placi izolatoare. Articolul prezintă evoluţia producţiei de semiconductori, aplicaţiile actuale și perspective. | ro |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | Technical University of Moldova | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | semiconductors | en_US |
dc.subject | generative adversarial network | en_US |
dc.subject | GaN | en_US |
dc.subject | insulated-gate bipolar transistor | en_US |
dc.subject | IGBT | en_US |
dc.subject | metal–oxide–semiconductor field-effect transistor | en_US |
dc.subject | MOSFET | en_US |
dc.subject | high-electron-mobility transistor | en_US |
dc.subject | HEMT | en_US |
dc.subject | heterojunction field effect transistor | en_US |
dc.subject | HFET | en_US |
dc.subject | field-effect transistor | en_US |
dc.subject | FET | en_US |
dc.subject | diamond power devices | en_US |
dc.subject | dispozitive de alimentare pe bază de diamante | en_US |
dc.subject | semiconductori | en_US |
dc.subject | dispozitive electronice | en_US |
dc.title | Future trends in power electronic devices | en_US |
dc.title.alternative | Tendinţe viitoare în dezvoltarea dispozitivelor electronice de putere | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: