Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în particular la senzori de gaze pe semiconductori. Senzorul de gaze pe semiconductori include un substrat, pe una din suprafeţele căruia este depus un strat sensibil la gaze, iar pe suprafaţa opusă – un element încălzitor, totodată pe stratul sensibil la gaze sunt depuse nişte contacte metalice. Noutatea invenţiei constă în aceea că pe suprafaţa stratului sensibil la gaze este formată o regiune cu structură de tip nanoace. Regiunea cu structură de tip nanoace poate avea formă inelară.
The invention relates to the semiconductor engineering, in particular to the semiconductor gas sensors. The semiconductor gas sensor contains a substrate, onto one of the surfaces of which there is applied a gas-sensitive layer, and onto the opposite surface – a heating element, at the same time onto the gas-sensitive layer there are applied metal contacts. Novelty of the invention consists in that onto the surface of the gas-sensitive layer there is formed a region with structure in the form of nanoneedles. The region with the structure in the form of nanoneedles may have an annular form.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2025.08.10.