Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la procedeele de obţinere a nanostructurilor. Procedeul de obţinere a nanotuburilor metalice constă în depunerea electrochimică a metalelor în porii semiconductorului poros. Noutatea invenţiei constă în aceea că depunerea electrochimică se înfăptuieşte în condiţiile aplicării tensiunii de impuls. Depunerea electrochimică poate fi efectuată timp de 5…30 min, la aplicarea impulsurilor de tensiune cu amplitudinea de 1,5…7,0 V, perioada de cel puţin 2 s şi durata până la 0,5 s.
The invention relates to the semiconductor engineering, in particular to processes for nanostructure obtaining. The process for obtaining metal nanotubes consists in the electrochemical deposition of metals into the pores of the porous semiconductor. Novelty of the invention consists in that the electrochemical deposition is carried out in the pulse voltage application conditions. The electrochemical deposition may be carried out during 5…30 min at the application of voltage pulses with the amplitude of 1,5…7,0 B, the period of at least 2 s and the duration up to 0,5 s.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2025.08.10.