Dispozitiv semiconductor de tip varactor şi procedeul confecţionării lui

Abstract

Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la dispozitive semiconductoare cu capacitate variabilă. Dispozitivul semiconductor de tip varactor în baza diodei Schottky include un substrat semiconductor ce conţine o regiune structurată şi contacte ohmice. Noutatea dispozitivului constă în aceea că regiunea structurată este executată poroasă, cu porii orientaţi perpendicular suprafeţei, totodată raportul adâncimii regiunii poroase către distanţa dintre pori este mai mare de zece. Procedeul de confecţionare a dispozitivului semiconductor de tip varactor include decaparea substratului semiconductor şi depunerea contactului metalic de tip Schottky şi a contactelor ohmice. Noutatea procedeului constă în aceea că decaparea substratului se efectuează prin metoda electrochimică, iar depunerea contactului metalic de tip Schottky se efectuează prin aplicarea impulsurilor de tensiune în soluţie de electrolit.

The invention relates to the semiconductor engineering, in particular to the semiconductor devices with variable capacitance. The semiconductor varactor-type device on base of Schottky diode includes a semiconductor body containing a structured region and ohmic contacts. Novelty of the device consists in that the structured region is made porous, with pores oriented perpendicular to the surface, at the same time the ratio of porous region depth to the distance between pores is more than ten. The process for manufacture of the semiconductor varactor-type device includes etching of the semiconductor body and deposition of the Schottky-type metallic contact and of the ohmic contacts. Novelty of the process consists in that the body etching is carried out by the electrochemical method, and deposition of the Schottky metallic contact is carried out by application of voltage impulses into electrolyte solution.