Invenţia se referă la producerea semiconductorilor. Procedeul de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare include depunerea pe una din feţele unui cristal semiconductor a unei măşti cu o porţiune deschisă, corodarea electrochimică la anodizare într-o soluţie apoasă de NaCl şi înlăturarea măştii. Rezultatul invenţiei constă în obţinerea zonelor nanostructurale semiconductoare cu morfologia dirijată de concentraţia soluţiei de NaCl şi de parametrii electrici aplicaţi, utilizând soluţia de NaCl care nu prezintă pericol pentru sănătatea personalului sau pentru mediul ambiant.
The invention relates to the semiconductor production. The process for obtaining semiconductor nanostructural zones includes deposition on one of the semiconductor crystal surfaces of a mask with an open portion, electrochemical pickling at anodizing in an aqueous NaCl solution and removal of mask. The result of the invention consists in obtaining semiconductor nanostructural zones with the morphology adjusted by the concentration of the NaCl solution and by the applied electrical parameters, using the NaCl solution which does not present hazard for personnel health or for the environment.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.11.06.