Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice, în particular de In2O3. Procedeul include depunerea peliculelor prin piroliză spray la temperatura de 450…550°С din soluţii apoase de InCl3 cu concentraţia sării de metal din soluţie ce depăşeşte 0,2М cu recoacerea ulterioară în atmosferă neutră sau cu conţinut de oxigen la o temperatură nu mai mică de 1000°С. Rezultatul invenţiei constă în obţinerea peliculelor cu textură înaltă în direcţia (100) cu grosimea de 200…3000 nm cu dimensiuni mari ale suprafeţei cristalografice plate a cristalitelor.
The invention relates to the field of obtaining thin films of oxide semiconductors, particularly of In2O3. The method includes deposition of films by spray pyrolysis at the temperature of 450...550oC from aqueous InCl3 solutions with the metal salt concentration in the solution exceeding 0.2M with subsequent annealing in the neutral or oxygen-containing atmosphere at a temperature not less than 1000°C. The result of the invention consists in obtaining films with high texture in the direction of (100) having a thickness of 200…3000 nm with large size of the crystallographic plane surface of crystallites.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.12.12.