DSpace Repository

Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat

Show simple item record

dc.contributor.author MIHĂLACHE, A.
dc.date.accessioned 2019-03-19T08:14:06Z
dc.date.available 2019-03-19T08:14:06Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation MIHĂLACHE, A. Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat. In: Meridian Ingineresc. 2010, nr. 2, pp. 32-34. ISSN 1683-853X. en_US
dc.identifier.issn 1683-853X
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/1091
dc.description.abstract În această lucrare sau studiat efectele galvanomagnetice pentru antimonidul de galiu nedopat pentru un interval de temperaturi (4,2÷300 K) şi un interval de concentraţii (NA-ND) (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Au fost studiate (RH, σ, μ) ale monocristalelor de antimonid de galiu de tip-p crescut prin metoda topirii zonale modificate. S-au analizat mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în raport cu temperatura şi în raport cu concentraţia (NA-ND). en_US
dc.description.abstract The present work deals with the galvanomagnetic effects of the undoped gallium antimonide in the temperature range of (4.2÷300 K) and in the concentration range of (1.5•1016÷5•1019cm-3) for (NA-ND). The objects of the investigation were (RH, σ, μ) of the gallium antimonide single crystals of p-type grown using the modified method of zone melting. Under study were the mechanisms of the distribution of the charge carriers against the temperature and the concentration of (NA-ND). en
dc.description.abstract Dans cet ouvrage ont été étudié les effets galvano magnétiques pour d’antimoniure de gallium non dopé pour un intervalle de température (4,2÷300 K) et un intervalle de concentrations (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Aussi out été étudié (RH, σ, μ) des cristales d’antimoniure de gallium de tip-p grandi par la méthode de fusion zonale modifiée. De même, ont avalisé les modalités des porte-charges par rapport avec la température et aussi par rapport avec la concentration (NA-ND). fr
dc.description.abstract В данной работе изучены гальваномагнитные эффекты для нелегированных кристаллов антимонида галлия в температурном интервале (4,2÷300 K) и диапазоном концентрации (NA-ND) (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Были изучены (RH, σ, μ) для кристаллов антимонида галлия типа-p, выращенные методом модифицированной зонной плавки. Были проанализированы механизмы рассеяния носителей заряда в зависимости от температуры и концентраций (NA-ND). ru
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Editura U.T.M. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject gallium antimonide en_US
dc.subject gallium antimonide single crystals en_US
dc.subject monocristale de antimonid de galiu en_US
dc.subject antimonid de galiu en_US
dc.title Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat en_US
dc.title.alternative Mechanisms of the distribution of the charge carriers in the undoped gallium antimonide en_US
dc.title.alternative Modalités des fusion des portecharges d’antimoniure de gallium non dopé en_US
dc.title.alternative Механизмы рассеяния носителей заряда в нелегированном антимониде галлия en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account