dc.contributor.author | MIHĂLACHE, A. | |
dc.date.accessioned | 2019-03-19T08:14:06Z | |
dc.date.available | 2019-03-19T08:14:06Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.identifier.citation | MIHĂLACHE, A. Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat. In: Meridian Ingineresc. 2010, nr. 2, pp. 32-34. ISSN 1683-853X. | en_US |
dc.identifier.issn | 1683-853X | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/1091 | |
dc.description.abstract | În această lucrare sau studiat efectele galvanomagnetice pentru antimonidul de galiu nedopat pentru un interval de temperaturi (4,2÷300 K) şi un interval de concentraţii (NA-ND) (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Au fost studiate (RH, σ, μ) ale monocristalelor de antimonid de galiu de tip-p crescut prin metoda topirii zonale modificate. S-au analizat mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în raport cu temperatura şi în raport cu concentraţia (NA-ND). | en_US |
dc.description.abstract | The present work deals with the galvanomagnetic effects of the undoped gallium antimonide in the temperature range of (4.2÷300 K) and in the concentration range of (1.5•1016÷5•1019cm-3) for (NA-ND). The objects of the investigation were (RH, σ, μ) of the gallium antimonide single crystals of p-type grown using the modified method of zone melting. Under study were the mechanisms of the distribution of the charge carriers against the temperature and the concentration of (NA-ND). | en |
dc.description.abstract | Dans cet ouvrage ont été étudié les effets galvano magnétiques pour d’antimoniure de gallium non dopé pour un intervalle de température (4,2÷300 K) et un intervalle de concentrations (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Aussi out été étudié (RH, σ, μ) des cristales d’antimoniure de gallium de tip-p grandi par la méthode de fusion zonale modifiée. De même, ont avalisé les modalités des porte-charges par rapport avec la température et aussi par rapport avec la concentration (NA-ND). | fr |
dc.description.abstract | В данной работе изучены гальваномагнитные эффекты для нелегированных кристаллов антимонида галлия в температурном интервале (4,2÷300 K) и диапазоном концентрации (NA-ND) (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Были изучены (RH, σ, μ) для кристаллов антимонида галлия типа-p, выращенные методом модифицированной зонной плавки. Были проанализированы механизмы рассеяния носителей заряда в зависимости от температуры и концентраций (NA-ND). | ru |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Editura U.T.M. | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | gallium antimonide | en_US |
dc.subject | gallium antimonide single crystals | en_US |
dc.subject | monocristale de antimonid de galiu | en_US |
dc.subject | antimonid de galiu | en_US |
dc.title | Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat | en_US |
dc.title.alternative | Mechanisms of the distribution of the charge carriers in the undoped gallium antimonide | en_US |
dc.title.alternative | Modalités des fusion des portecharges d’antimoniure de gallium non dopé | en_US |
dc.title.alternative | Механизмы рассеяния носителей заряда в нелегированном антимониде галлия | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: