Abstract:
Исследовано влияние одноосной упругой деформации на сечение поверхности Ферми (ПФ) L- и Т-дырок в нитях Bi-0,07ат%Sn, методом изучения осцилляций Шубникова де Гааза (ШдГ). Монокристаллические нити Bi0,07ат%Sn в стеклянной оболочке с ориентацией 1011 вдоль оси нити, получались литьем из жидкой фазы по методу Улитовского-Тейлора. Показано, что при упругой деформации осуществляется электронный топологический переход, при котором два эквивалентно расположенных по отношению к оси нити дырочных «эллипсоида» L2,3 исчезают, и проводимость осуществляется дырками из L1 и Т- «эллипсоидов», расположенных в точках L и Т зоны Бриллюэна.