Straturi de AlN crescute pe siliciu prin metoda reacțiilor chimice de transport cu urme de azot polimerizat

Abstract

Lucrarea este consacrată dezvoltării tehnologiei de obținere a straturilor epitaxiale de nitrură de galiu pe siliciu prin metoda HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy). Sintetizarea GaN nemijlocit pe siliciu este complicat de realizat din cauza interacțiunii la temperaturi înalte dintre siliciu și azot, degajarea galiului sub formă de picături, deteriorarea suprafeței substratului. Interacțiunea poate fi atenuată cu ajutorul unui strat buferal de AlN crescut pe suprafața siliciului în condiții optimale la etapa inițială de creștere a straturilor de GaN. În procesul de determinare ale acestor condiții in straturile de AlN au fost depistate mai multe faze cristaline, inclusiv și de azot polimerizat - compus cu proprietăți energetice excepționale.