Obținerea peliculelor de GaSb prin metoda descărcărilor electrice

Abstract

Antimonidul de galiu este unul dintre cele mai importante materiale pentru fabricarea diferitor dispozitive optoelectronice în domeniul infraroșu - LED-uri, lasere și fotoconvertoare. Această lucrare este dedicată cercetării obținerii peliculelor subțiri de GaSb și GaSb(Fe) utilizând metoda descărcărilor electrice prin impuls (DEI). Pentru obținerea peliculelor de semiconductor prin metoda DEI a fost utilizat generator de tipul RC cu amorsare paralelă. Instalația experimentală este alcătuită din generatorului de impulsuri de curent și dispozitivul mecanic de fixare și ajustare a electrozilor și a suportului pentru depunerea peliculelor de semiconductor. În calitate de suport au fost utilizate plăcuțe din Si.