dc.contributor.author | EVTODIEV, Igor | |
dc.contributor.author | CARAMAN, Iuliana | |
dc.contributor.author | KANTSER, Valeriu | |
dc.contributor.author | EVTODIEV, Silvia | |
dc.contributor.author | GAȘIN, Petru | |
dc.contributor.author | SPRINCEAN, Veaceslav | |
dc.contributor.author | DMITROGLO, Liliana | |
dc.contributor.author | ZASAVIȚCHI, Efim | |
dc.contributor.author | UNTILA, Dumitru | |
dc.contributor.author | CARAMAN, Mihail | |
dc.date.accessioned | 2020-12-09T12:37:42Z | |
dc.date.available | 2020-12-09T12:37:42Z | |
dc.date.issued | 2017 | |
dc.identifier.citation | EVTODIEV, Igor, CARAMAN, Iuliana, KANTSER, Valeriu, EVTODIEV, Silvia, GAȘIN, Petru, SPRINCEAN, Veaceslav, DMITROGLO, Liliana, ZASAVIȚCHI, Efim, UNTILA, Dumitru, CARAMAN, Mihail. Proprietăți optice ale compozitului Ga2O3-Ga2S3. In: Microelectronics and Computer Science: proc. of the 9th intern. conf., October 19-21, 2017. Chişinău, 2017, p. 525. ISBN 978-9975-4264-8-0. | en_US |
dc.identifier.isbn | 978-9975-4264-8-0 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/12031 | |
dc.description.abstract | Compusul Ga2S3 aparține la clasa materialelor semiconductoare cu defecte structurale proprii. În rețeaua cristalină vacanțele reprezintă 1/3 din nodurile cationice. Acest material se cercetează intens ultimii ani datorită lățimii benzii interzise (Eg ≃ 3,2 eV), fotosensibilității în regiunea UV, fotoluminescenței în regiunea violet-albastru a spectrului, proprietății de adsorbție a oxigenului. Ga2S3 se consideră ca material de perspectivă în domeniul opticii neliniare și a electronicii cuantice [1-5]. Ga2S3 posedă proprietăți principial noi în nanoparticulele și nanofire [6-7]. Ga2O3 fiind un semiconductor cu conductibilitate electrică de tip n și transmitanță optică în regiunea UV-VIS superioară celei a oxidului ITO, poate servi ca electrod transparent optic în dispozitivele optoelectronice. În [6] prin TT al nanofirelor de Ga2O3 în atmosferă de H2S s-a obținut un material compozit (Ga2O3-Ga2S3) cu fotoluminescență intensă în regiunea albastru-violet a spectrului. FL acestuia depinde de temperatura. În intervalul de temperaturi 670-870K intensitatea FL este în creștere odată cu temperatura. În lucrare se studiază spectrele de absorbție și fotoluminescența cristalelor de Ga2S3 și a compozitului Ga2O3-Ga2S3 obținut prin TT al monocristalelor de Ga2S3 în atmosferă normală. | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Technical University of Moldova | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | compus Ga2S3 | en_US |
dc.subject | materiale semiconductoare | en_US |
dc.subject | spectre de absorbție | en_US |
dc.subject | fotoluminescență | en_US |
dc.title | Proprietăți optice ale compozitului Ga2O3-Ga2S3 | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: