Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge

Abstract

В настоящей работе приводятся экспериментальные данные, показывающие, что в случае твердых растворов системы As2S3—Ge уменьшение Ед действительно происходит за счет сдвига только одной, а именно валентной зоны.