dc.contributor.author | ЦИУЛЯНУ, Д. И. | |
dc.date.accessioned | 2021-01-25T14:25:54Z | |
dc.date.available | 2021-01-25T14:25:54Z | |
dc.date.issued | 1986 | |
dc.identifier.citation | ЦИУЛЯНУ, Д. И. Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge. In: Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1986, V. 20, Iss. 10, pp. 1900–1902. ISSN 0015-3222. | en_US |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/12562 | |
dc.description.abstract | В настоящей работе приводятся экспериментальные данные, показывающие, что в случае твердых растворов системы As2S3—Ge уменьшение Ед действительно происходит за счет сдвига только одной, а именно валентной зоны. | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | Ioffe Institute, RAS | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | glassy semiconductors | en_US |
dc.subject | semiconductors | en_US |
dc.subject | chalcogenide semiconductors | en_US |
dc.subject | стеклообразные полупроводники | en_US |
dc.subject | полупроводники | en_US |
dc.subject | халькогенидные полупроводники | en_US |
dc.title | Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: