Este propus procedeul tehnologic pentru fabricarea fotodetectorului de radiație infraroșie în baza unui singur nanofir de GaAs cu o sensibilitate înaltă și caracteristici dinamice bune, obținut prin corodarea electrochimică ...

Propunem o tehnologie electrochimică cost-efectivă în doi Pași la temperature camerei pentru obținerea nanomembranelor de Au. Un film subțire de Au cu grosime mai mică de 100 nm a fost depus prin depunerea e ...

Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la fotodetectoare de radiaţie infraroşie. Fotodetectorul de radiaţie infraroşie include un nanofir de GaAs şi contacte metalice. Totodată, nanofirul este fabricat prin ...

Este propus procedeul tehnologic pentru obţinerea rețelelor de nanofire de GaAs cu diametrul în diapazonul 100-500 nm prin corodarea electrochimică într-un singur pas tehnologic, care asigură producerea nanofirelor orientate ...

Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică ...

Propunem o tehnologie electrochimică cost-efectivă în doi pași la temperatura camerei pentru obținerea nanomembranelor de Au. Un film subțire de Au cu grosime mai mica de 100 nm a fost depus prin depunerea electrochimică ...

Este propus procedeul tehnologic pentru obţinerea rețelelor de nanofire de GaAs cu diametrul în diapazonul 100 – 500 nm prin corodarea electrochimică într-un singur pas tehnologic, care asigură producerea nanofirelor ...

Herein, we propose the manufacture of wide bandgap (Eg) semiconductor nanowires on narrow bandgap semiconductor support with good thermal conductivity, and the diameter of the nanowires varies in the range from 50 nm to 500 nm.