DSpace Repository

Browsing Inventii by Subject "semiconductors"

Browsing Inventii by Subject "semiconductors"

Sort by: Order: Results:

  • Dispozitiv de măsurare a parametrilor senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor 
    VERJBIŢKI, Valeri; LUPAN, Oleg; RAILEAN, Serghei (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2018-07-31)
    Invenția se referă la domeniul tehnicii de măsurare și poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi. Dispozitivul de măsurare a parametrilor ...
  • Dispozitiv semiconductor de tip varactor şi procedeul confecţionării lui 
    TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; ALBU, Sergiu; MONAICO, Eduard (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2008-01-31)
    Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la dispozitive semiconductoare cu capacitate variabilă. Dispozitivul semiconductor de tip varactor în baza diodei Schottky include un substrat semiconductor ce ...
  • Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor 
    VERJBIŢKI, Valeri; LUPAN, Oleg; RAILEAN, Serghei (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2018-07-31)
    Invenția se referă la domeniul tehnicii de măsurare și poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi. Dispozitivul de măsurare a rezistenței senzorului ...
  • Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată 
    DOROGAN, Valerian; VIERU, Tatiana; DOROGAN, Andrei; VIERU, Stanislav (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2004-03-31)
    Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la fotodiode, şi poate fi utilizată în sistemele optoelectronice pentru detectarea, înregistrarea şi transformarea semnalelor optice transmise prin fibre optice, ...
  • Instalaţie pentru confecţionarea microconductorului în izolaţie de sticlă 
    DIMITRACHI, Nicolae; NICOLAU, Dana (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2009-11-30)
    Invenţia se referă la tehnica de măsurare şi poate fi utilizată la turnarea microсonductoarelor sau semiconductoarelor în izolaţie de sticlă. Instalaţia pentru confecţionarea microcon-ductorului în izolaţie de sticlă include ...
  • Method of digital λ-modulated spectroscopy 
    SÎRBU, Nicolae; STAMOV, Igor; DOROGAN, Andrei; DOROGAN, Valerian; ZALAMAI, Victor (Romanian Inventors Forum, 2014)
    The elaborated method gives the possibility to determine the energy of electronic transitions in semiconductors at a high resolution for estimating an interference spectra structure for analyzing ordinary and extraordinary ...
  • Metoda spectroscopiei digitale λ-modulată 
    SÎRBU, Nicolae; STAMOV, Igor; DOROGAN, Andrei; DOROGAN, Valerian; ZALAMAI, Victor (Universitatea Tehnică din Cluj-Napoca, 2014)
    Metoda elaborată permite determinarea energiei tranzițiilor electronice în semiconductori cu o înaltă rezoluţie pentru estimarea unei structuri a spectrelor de interferenţă destinate analizei dispersiei ordinare şi ...
  • Procedeu de măsurare a secţiunii transversale a unui fir conductor în procesul de turnare 
    DIMITRACHI, Nicolae; DIMITRACHI, Sergiu (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2013-10-31)
    Invenţia se referă la tehnica de măsurare şi poate fi utilizată la turnarea firelor conductoare sau semiconductoare în izolaţie. Procedeul de măsurare a secţiunii transversale a unui fir conductor în procesul de turnare, ...
  • Procedeu de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor 
    ALBU, Sergiu; MONAICO, Eduard; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-05-31)
    Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la procedeele de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor. Procedeul de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor include decaparea electrochimică a cel ...
  • Procedeu de obţinere a nanostructurilor semiconductoare 
    TIGHINEANU, Ion; SÎRBU, Lilian; URSACHI, Veaceslav; ALBU, Sergiu (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-02-28)
    Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor, în particular la procedee de obţinere a nanostructurilor semiconductoare. Procedeul de obţinere a nanostructurilor semiconductoare constă în decaparea electrochimică a ...
  • Procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice de In2O3 
    KOROTCENKOV, Ghenadii (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2010-01-31)
    Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice, în particular de In2O3. Procedeul include depunerea peliculelor prin piroliză spray la temperatura de 450…550°С din soluţii ...
  • Procedeu de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare 
    MONAICO, Eduard; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; POSTOLACHE, Vitalie (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2009-01-31)
    Invenţia se referă la producerea semiconductorilor. Procedeul de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare include depunerea pe una din feţele unui cristal semiconductor a unei măşti cu o porţiune deschisă, corodarea ...
  • Procedures for obtaining of semiconductors based on GaN:Mg 
    RUSU, Emil; URSACHI, Veaceslav; RAEVSCHI, Semion; MORARI, Vadim (Romanian Inventors Forum, 2020)
    The process according to the invention consists in obtaining GaN nanoparticles and nanoparticles with pconductivity by means of chemical reactions of a chemical compound used as the source of gallium atoms and magnesium ...
  • Senzor de gaze 
    POPA, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; VOLCIUC, Olesea (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-03-31)
    Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la senzori de gaze pe semiconductori de tip rezistiv. Senzorul de gaze pe semiconductori include un substrat, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat ...
  • Senzor de gaze pe semiconductori 
    POPA, Veaceslav; VOLCIUC, Olesea; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-06-30)
    Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în particular la senzori de gaze pe semiconductori. Senzorul de gaze pe semiconductori include un substrat, pe una din suprafeţele căruia este depus un strat sensibil la ...

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account