Criotron acustoelectronic cu timpul de comutare restructurabil

Abstract

Invenţia se referă la domeniul electronicii şi este destinată dispozitivelor de memorie şi de comutare utilizate în tehnica de calcul şi de comutare. Dispozitivul conţine o bază din Pb pe care sunt depuse succesiv un strat de absorbţie a undelor acustice de suprafaţă, un strat redresor din ceramică supraconductoare YBa2Cu3O7, un strat de dirijare din piezocristal GaAs în centrul căruia este depus un traductor interdigital din Cr-Al, iar între straturile redresor şi de dirijare sunt depuse contacte din Cr-Cu. Contactele din Cr-Cu sunt amplasate pe perimetrul unei circumferinţe şi conţin contacte longitudinale, amplasate de-a lungul axei cristalografice c a compusului YBa2Cu3O7, care coincid cu direcţia de propagare a undelor acustice de suprafaţă; contacte transversale, amplasate perpendicular axei cristalografice c a compusului YBa2Cu3O7, care sunt perpendiculare direcţiei de propagare a undelor acustice de suprafaţă; contacte intermediare, amplasate pe perimetrul circumferinţei între contactele longitudinale şi cele transversale.

The invention refers to the field of electronics and is provided for the manufacture of storage commutation devices, utilized in computer and commutation engineering. The device contains a base of Pb, onto which there are successively deposited a layer, absorbing the acoustic surface waves, a barrier layer of superconducting ceramics YBa2Cu3O7, and a controlling layer of piezocrystal GaAs, in the centre of which it is deposited an anti-pin converter of Cr-Al, between the barrier and the controlling layers being deposited contacts of Cr-Cu. The contacts of Cr-Cu are placed around the edges of a circumference and consist of longitudinal contacts, placed along the c crystallographic axis of the compound YBa2Cu3O7, which coincide with the propagation direction of the acoustic surface waves; transversal contacts, placed perpendicular to the crystallographic axis of the compound YBa2Cu3O7, which are perpendicular to the propagation direction of the acoustic surface axis; intermediate contacts, placed around the edges of the circumference between the longitudinal and the transversal contacts.