Afinitatea electronică şi optimizarea benzii interzise a filmelor de Zn1-xMgxO

Abstract

Această lucrare raportează despre influența schimbării lățimii benzii interzise și afinității electronice a filmelor oxidice Zn1-xMgxO asupra performanței detectoarelor de radiație UV. Afinitatea electronică a soluțiilor Zn1-xMgxO scade odată cu creșterea valorii x, astfel încât ea are valoarea de 4.15 eV pentru Zn0.85Mg0.15O și 3.80 eV pentru Zn0.65Mg0.35O. S-a dovedit că lățimea benzii interzise crește odată cu creșterea concentrației de Mg în ZnO pentru filmele oxidice Zn1-xMgxO obținute prin metoda spin coating, metoda depunerii din aerosoli și conform datelor experimentale din literatură publicate anterior.