DSpace Repository

Anisotropy and size effects in Bi1-xSbx semiconductor wires in a magnetic field

Show simple item record

dc.contributor.author NIKOLAEVA, Albina A.
dc.contributor.author KONOPKO, Leonid A.
dc.contributor.author HUBER, Tito Е.
dc.contributor.author POPOV, Ivan А.
dc.contributor.author BODIUL, Pavel P.
dc.contributor.author PARA, Gheorghe
dc.date.accessioned 2022-01-31T16:08:31Z
dc.date.available 2022-01-31T16:08:31Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.citation NIKOLAEVA, Albina A., KONOPKO, Leonid A., HUBER, Tito Е. Anisotropy and size effects in Bi1-xSbx semiconductor wires in a magnetic field. In: Moldavian Journal of the Physical Sciences, 2009, N. 2(20), pp. 113-122. ISSN 1810-648X. en_US
dc.identifier.issn 1810-648X
dc.identifier.uri https://doi.org/10.53081/mjps.2021.20-2.01
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/19032
dc.description.abstract The electron transport and longitudinal and transverse magnetoresistance (MR) of glass-insulated Bi0.92Sb0.08 single-crystal wires with diameters of 180 nm to 2.2 μm and the (1011) orientation along the wire axis have been studied. The wires have been prepared by liquid-phase casting. It has been first found that the energy gap ΔE increases by a factor of 4 with a decrease in wire diameter d due to the manifestation of the quantum size effect, which can occur under conditions of a linear energy–momentum dispersion law characteristic of both the gapless state and the surface states in topological insulators (TIs). It has been revealed that, in strong magnetic fields at low temperatures, a semiconductor–semimetal transition occurs, which is evident as an anomalous decrease in the transverse MR anisotropy and the appearance of a metallic temperature dependence of resistance at T < 100 K. It has been found that the effect of negative MR, the appearance of an anomalous maximum in the longitudinal MR, and the dependence of Hmax ~ d-1 at 4.2 K is a manifestation of the classical MacDonald–Chambers size effect. The calculated value of the component of the Fermi momentum perpendicular to the magnetic induction vector H is 2 times higher than the value for pure bismuth wires. The features of the manifestation of the quantum size effect in Bi0.92Sb0.08 wires, semiconductor–semimetal electronic transitions induced by a magnetic field, and a decrease in the transverse MR anisotropy indicate the occurrence of new effects in low-dimensional structures based on semiconductor wire TIs, which require new scientific approaches and applications. en_US
dc.description.abstract A fost studiat transportul de electroni și magnetoresistența longitudinală și transversală (MR) a firelor monocristaline de Bi0.9Sb0.08 în înveliș de sticlă cu diametre de la 180 nm până la 2,2 μm și orientarea (1011) de-a lungul axei firului. Firele au fost obtinute prin turnarea din faza lichidă. Pentru prima dată s-a constatat că gap-ul energetic E crește de 4 ori cu micșorarea diametrului firului d, datorită manifestării efectelor cuantice dimensionale, care pot apărea în condițiile unei legi de dispersie energie-impuls liniare, care este caracteristică atât pentru o stare fără gap, cât și pentru stările de suprafață în izolatorii topologici (TIs). S-a observat că, în câmpurile magnetice puternice la temperaturi scăzute, se produce o tranziție semiconductor-semimetal, care se manifestă printr-o scădere anormală a anizotropiei magnetoresistenței transversale și apariția unei dependențe metalice de temperatură a rezistenței la T<100K. S-a constatat că efectul magnetoresistenței negative, apariția unui maxim anormal în magnetoresistența longitudinală și dependența Hmax ~ d~1 la 4,2 K sunt o manifestare a efectului dimensional clasic MacDonald-Chambers. Valoarea calculată a componentei - a impulsului Fermi, perpendicular pe vectorul de inducție magnetică H, este de 2 ori mai mare decât valoarea pentru firele de bismut pur. Particularitățile manifestării efectului cuantic dimensional în firele Bi0,92Sb0,08, tranzițiile electronice semiconductor-semimetal induse de un câmp magnetic și scăderea anizotropiei magnetoresistenței transversale indică la manifestarea de noi efecte în structurile de dimensiuni reduse ale izolatorilor topologici pe fire semiconductoare, care necesită noi abordări științifice și aplicații. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.publisher Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject semiconductor nanowires en_US
dc.subject topological insulators en_US
dc.subject insulators en_US
dc.subject anisotropy en_US
dc.subject magnetoresistance en_US
dc.subject electronic transitions en_US
dc.subject nanofire semiconductoare en_US
dc.subject izolatoare topologice en_US
dc.subject anizotropie en_US
dc.subject magnetorezistență en_US
dc.subject tranziții electronice en_US
dc.title Anisotropy and size effects in Bi1-xSbx semiconductor wires in a magnetic field en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account