Оптические свойства HgGa2Se4 вблизи края собственного поглощения

ГЕОРГОБИАНИ, А. Н.; МЕТЛИНСКИЙ, П. Н.; РАДАУЦАН, С. И.; ТИГИНЯНУ, И. М.; УРСАКИ, В. В.

Оптические свойства HgGa2Se4 вблизи края собственного поглощения

ГЕОРГОБИАНИ, А. Н.; МЕТЛИНСКИЙ, П. Н.; РАДАУЦАН, С. И.; ТИГИНЯНУ, И. М.; УРСАКИ, В. В.

URI: http://repository.utm.md/handle/5014/19486

Date: 1986

Abstract:

Соединение HgGa2Se4 относится к тройным алмазоподобным полупроводникам AIIB2IIIrC4VI , в которых четверть катионных мест пуста. Долгое время считалось, что стехиометрические пустоты являются причиной отсутствия экситонных линий в оптических спектрах этих соединений. Между тем появились сведения об обнаружении экситонов в спектрах отражения CdGa2S4 и GdGa2Se4 [1-3]. Для выяснения вопроса о наличии экситонов и о причине размытия края собственного поглощения HgGa2Se4 нами проведено исследование спектров поглощения и λ-модулированного отражения.

Show full item record