Оптические свойства HgGa2Se4 вблизи края собственного поглощения

ГЕОРГОБИАНИ, А. Н.; МЕТЛИНСКИЙ, П. Н.; РАДАУЦАН, С. И.; ТИГИНЯНУ, И. М.; УРСАКИ, В. В.

dc.contributor.author	ГЕОРГОБИАНИ, А. Н.
dc.contributor.author	МЕТЛИНСКИЙ, П. Н.
dc.contributor.author	РАДАУЦАН, С. И.
dc.contributor.author	ТИГИНЯНУ, И. М.
dc.contributor.author	УРСАКИ, В. В.
dc.date.accessioned	2022-02-25T11:30:59Z
dc.date.available	2022-02-25T11:30:59Z
dc.date.issued	1986
dc.identifier.citation	ГЕОРГОБИАНИ, А. Н., МЕТЛИНСКИЙ, П. Н., РАДАУЦАН, С. И. et al. Оптические свойства HgGa2Se4 вблизи края собственного поглощения. In: Физика твердого тела. 1986, V. 28, N. 4, pp. 1179–1180. ISSN 0367-3294.	en_US
dc.identifier.issn	0367-3294
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/19486
dc.description.abstract	Соединение HgGa2Se4 относится к тройным алмазоподобным полупроводникам AIIB2IIIrC4VI , в которых четверть катионных мест пуста. Долгое время считалось, что стехиометрические пустоты являются причиной отсутствия экситонных линий в оптических спектрах этих соединений. Между тем появились сведения об обнаружении экситонов в спектрах отражения CdGa2S4 и GdGa2Se4 [1-3]. Для выяснения вопроса о наличии экситонов и о причине размытия края собственного поглощения HgGa2Se4 нами проведено исследование спектров поглощения и λ-модулированного отражения.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	алмазоподобные полупроводники	en_US
dc.subject	полупроводники	en_US
dc.title	Оптические свойства HgGa2Se4 вблизи края собственного поглощения	en_US
dc.type	Article	en_US