DSpace Repository

Detector de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de arseniură de galiu

Show simple item record

dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author MONAICO, Elena
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.date.accessioned 2022-09-07T07:09:48Z
dc.date.available 2022-09-07T07:09:48Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.citation MONAICO, Eduard, URSACHI, Veaceslav, MONAICO Elena et al. Detector de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de arseniură de galiu. In: PROINVENT 2021. Salonul internaţional al cercetării ştiinţifice, inovării şi inventicii. 20 - 22 octombrie 2021, ed. 19, Cluj-Napoca, Romania: catalog, 2021, p. 310. ISSN 2810 – 2789. en_US
dc.identifier.issn ISSN 2810 – 2789
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/21071
dc.description Cererea de brevet de invenție: a2020 0054 din 2020.06.09. Domeniul de aplicabilitate: Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la fotodetector de radiaţie infraroşie. en_US
dc.description.abstract Este propus procedeul tehnologic pentru fabricarea fotodetectorului de radiație infraroșie în baza unui singur nanofir de GaAs cu o sensibilitate înaltă și caracteristici dinamice bune, obținut prin corodarea electrochimică cost-efectivă a plachetei de GaAs, ce nu necesită echipamente sofisticate și costisitoare. Corodarea electrochimică se efectuează la temperatura camerei într-un electrolit de 1M HNO3. Un design special al contactelor ohmice de Cr/Au la capetele nanofirului de GaAs a fost aplicat prin litografie cu fascicul laser. Problema rezolvată prin invenția dată constă în elaborarea unui fotodetector de radiație infraroșie cu un fotorăspuns de ordinul a 100 mA/W și care poate fi încorporat pe o mare varietate de substraturi. en_US
dc.description.abstract Herein, we propose the manufacture of IR photodetector based on single GaAs nanowire with good sensitivity and dynamic characteristics prepared by a costeffective electrochemical etching of GaAs wafer, which does not require sophisticated and expensive equipment. The electrochemical etching being performed at room temperature in 1M HNO3 electrolyte. A special design of Cr/Au ohmic contacts at the ends of the GaAs nanowire was applied via laser beam lithography. The task solved by the proposed invention consists in the elaboration of an infrared radiation photodetector with photoresponse of the order of 100 mA/W, which can be incorporated on a wide variety of substrates. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Universitatea Tehnica din Cluj-Napoca en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject inventions en_US
dc.subject fotodetectoare de radiație en_US
dc.subject radiație infraroșie en_US
dc.subject nanofire de arseniură de galiu en_US
dc.subject infrared photodetectors en_US
dc.subject gallium arsenide nanowires en_US
dc.title Detector de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de arseniură de galiu en_US
dc.title.alternative Elaboration of infrared photodetector based on single GaAs nanowire en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

  • 2021
    Ediţia XIX-a, 20 - 22 octombrie

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account