Procedeu de depunere a peliculelor ZnO dopate cu Eu și funcționalizate cu PD

LUPAN, Cristian; TROFIM, Viorel

DSpace Home
→
Colecția instituțională
→
Inventii
→
PRO INVENT
→
2020
→
View Item

dc.contributor.author	LUPAN, Cristian
dc.contributor.author	TROFIM, Viorel
dc.date.accessioned	2022-09-07T13:32:42Z
dc.date.available	2022-09-07T13:32:42Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.citation	LUPAN, Cristian, TROFIM, Viorel. Procedeu de depunere a peliculelor ZnO dopate cu Eu și funcționalizate cu PD. In: PROINVENT 2020. Salonul internaţional al cercetării ştiinţifice, inovării şi inventicii. 18-20 octombrie 2020, ed. 18, Cluj-Napoca, Romania, 2020, pp. 352-353. ISBN 978-606-737-480-3.	en_US
dc.identifier.isbn	978-606-737-480-3
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/21094
dc.description	Cerere de brevet - nr. intrare: 13897; data intrare: 2019.12.18; nr. depozit: s 2019 0113; data depozit: 2019.11.05. Domeniul de aplicabilitate: Sisteme și dispozitive de detectare a gazelor.	en_US
dc.description.abstract	Invenţia se referă la tehnologia de depunere a peliculelor din semiconductori oxizi, în particular la un procedeu de obținere a peliculelor ZnO:Eu3+, cu aplicarea tratamentului fotonic rapid (T=650 °C, t=60s), care pot fi aplicate la confecționarea senzorilor de gaze obținând sensibilitatea S=I gas/I air =1.3 la concentrația de 100 ppm H2 la temperatura camerei și S=I gas/I air =118 la temperatura de operare de 250 °C.	en_US
dc.description.abstract	The invention relates to the technology for deposition of semiconductor oxide films, in particular to the process of obtaining of ZnO:Eu3+ films, with application of rapid thermal annealing (T=650 °C, t=60s), with can be applied to the manufacture of gas sensors obtaining sensibility S=I_gas/I_air =1.3 for 100 ppm H2 gas at room temperature and S=I_gas/I_air =118 at operating temperature of 250 °C.	en_US
dc.language.iso	en	en_US
dc.language.iso	ro	en_US
dc.publisher	Universitatea Tehnica din Cluj-Napoca	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	invenţii	en_US
dc.subject	inventions	en_US
dc.subject	semiconductori oxizi	en_US
dc.subject	pelicule de oxid de zinc	en_US
dc.subject	semiconductor oxide films	en_US
dc.title	Procedeu de depunere a peliculelor ZnO dopate cu Eu și funcționalizate cu PD	en_US
dc.title.alternative	The deposition process of ZnO films doped with Eu and functionalized with PD	en_US
dc.type	Article	en_US