Heterostructuri cu diverse compoziții sunt utilizate pentru elaborarea dispozitivelor optoelectronice. Laserii de injecţie pe baza straturilor cu gropi şi puncte cuantice demonstrează o stabilitate termică înaltă, o valoare mică a densităţii curentului de prag Jth şi un regim de generare continuu la temperatura camerei. Cu ajutorul metodei spectroscopiei optice de rezoluţie înaltă au fost cercetate spectrele de reflexie, transparenţă şi luminescenţă ale hetertostructurilor In0.3Ga0.7As cu gropi şi puncta cuantice, în domeniul 1200 – 1800nm.
Heterostructures with diverse compositions are used for elaborating optoelectronic devices. Injection lasers based on nanostructures with quantum wells and dots prove high temperature stability, a low value of threshold current density Jth and continuous emission operating regime at room temperature. Reflection, transmittance, and luminescence spectra of In0.3Ga0.7As heterostructures with quantum wells and dots had been studied using the method of high resolution optical spectroscopy, in the wavelength range 1200 – 1800nm.