Metoda spectroscopiei de rezoluţie înaltă propusă permite studiul dependenţelor spectrale ale dispersiei ordinare şi extraordinare a indicelui de refracţie pentru cristalele ZnAs2 în regiunea tranziţiilor excitonice. Metoda permite estimarea valorilor maselor efective ale electronilor În urma studiului a fost observată schimbarea masei golurilor odată cu schimbarea temperaturii. Au fost determinatre stările de bază şi parametrii excitonilor C şi D formaţi de către benzile V3 - C1 şi V4 - C1.
The proposed method of high resolution spectroscopy gives the possibility to study the spectral dependencies of ordinary and extraordinary dispersion of refractive index for ZnAs2 crystals in the region of excitonic transitions. The method permits to estimate the magnitudes of electrons and holes effective masses. It was observed the change of holes mass with temperature change The fundamental states and parameters of C and D excitons, which are formed by the V3 - C1 and V4 - C1 zones, had been determined.