Metoda elaborată permite determinarea energiei tranzițiilor electronice în semiconductori cu o înaltă rezoluţie pentru estimarea unei structuri a spectrelor de interferenţă destinate analizei dispersiei ordinare şi extraordinare a luminii în cristale. Sistemul optic utilizat permite înregistrarea datelor cu o lăţime spectrală a fantei de 0,02 Å (±0,01 meV) cu ajutorul unui spectrometru Raman dublu СДЛ- 1 şi МДР-2, care posedă dispersia liniară 7Å/mm şi apertura relativă de 1:2
The elaborated method gives the possibility to determine the energy of electronic transitions in semiconductors at a high resolution for estimating an interference spectra structure for analyzing ordinary and extraordinary light dispersion in crystals. The used optic system allows data registering with a spectral width of the slit 0.02 Å (±0.01 meV) using a double Raman spectrometer СДЛ- 1 and МДР-2, which has the linear dispersion of 7Å/mm and relative aperture 1:2.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States