Invenția se referă la tehnica și tehnologia semiconductoarelor de oxid, în special la senzorii de butanol pe baza heteronjonctiunilor ZnO-Al2O3. Butanolul este utilizat pe scară largă ca solvent pentru fabricarea lacurilor și vopselelor. Pentru butanol, pragul de miros este de 14-16 ppm, dar limita admisibilă a concentrației sale în aer ≈ 3,3 ppm. Din aceste motive este necesar să se facă senzori sensibili la concentrații scăzute de butanol. Problema rezolvată prin invenția propusă este fabricarea unui senzor de n-butanol cu o sensibilitate mai mare la concentrații scăzute de gaz.
The invention relates to the technique and technology of oxide semiconductors, in particular to butanol sensors based on ZnO-Al2O3 heteronjunctions. Butanol is widely used as a solvent for the manufacture of varnishes and paints. For butanol, the odor threshold is at 14-16 ppm, but the permissible limit of its concentration in air ≈ 3.3 ppm. For these reasons it is necessary to make sensors sensitive to low concentrations of butanol. The problem solved by the proposed invention is the manufacture of an n-Butanol sensor with a higher sensitivity to low gas concentrations.