Procedeu de obţinere a nanofirelor de arseniură de galiu

Abstract

Este propus procedeul tehnologic pentru obţinerea rețelelor de nanofire de GaAs cu diametrul în diapazonul 100-500 nm prin corodarea electrochimică într-un singur pas tehnologic, care asigură producerea nanofirelor orientate perpendicular pe suprafața suportului și cu o distribuție omogenă pe suprafața plachetei de GaAs. La parametrii electrochimici optimal, nanofirele nu sunt crescute, ci spațiul din jurul nanofirelor este dizolvat. Astfel, nanofirele rămase au aceeași cristalinitate și puritate ca și cristalul folosit la corodare.

Herein, we propose the technological route in one-step via electrochemical etching of bulk GaAs substrates for obtaining of a network of semiconductor nanowires with a diameter in the range of 100-500 nm, the nanowires being oriented perpendicular to the surface of the substrate and with a homogeneous distribution on the surface of the semiconductor wafer. As a result of anodization at optimal electrochemical parameters, the nanowires are not growth but the space around the nanowires are etched and the remaining nanowires have the same crystallinity and purity as used wafer.