DSpace Repository

Procedeu de obţinere a nanofirelor de arseniură de galiu

Show simple item record

dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author MONAICO, Elena
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.date.accessioned 2022-09-19T08:04:26Z
dc.date.available 2022-09-19T08:04:26Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.citation MONAICO, Eduard, MONAICO, Elena, URSACHI, Veaceslav et al. Procedeu de obţinere a nanofirelor de arseniură de galiu. In: INFOINVENT 2021. Expoziţia Internaţională Specializată, 17-20 noiembrie 2021, ed. 17: Catalog oficial, Chişinău, Republica Moldova, 2021, p. 122. en_US
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/21263
dc.description Cerere: MD a 2020 0053 din 2020.06.09. Secţiunea B. Materiale, echipamente şi tehnologii industriale, mecanică, energie, electricitate, electronică. Section B. Materials, Equipment and Industrial Technology, Mechanics, Energy, Electricity, Electronics en_US
dc.description.abstract Este propus procedeul tehnologic pentru obţinerea rețelelor de nanofire de GaAs cu diametrul în diapazonul 100-500 nm prin corodarea electrochimică într-un singur pas tehnologic, care asigură producerea nanofirelor orientate perpendicular pe suprafața suportului și cu o distribuție omogenă pe suprafața plachetei de GaAs. La parametrii electrochimici optimal, nanofirele nu sunt crescute, ci spațiul din jurul nanofirelor este dizolvat. Astfel, nanofirele rămase au aceeași cristalinitate și puritate ca și cristalul folosit la corodare. en_US
dc.description.abstract Herein, we propose the technological route in one-step via electrochemical etching of bulk GaAs substrates for obtaining of a network of semiconductor nanowires with a diameter in the range of 100-500 nm, the nanowires being oriented perpendicular to the surface of the substrate and with a homogeneous distribution on the surface of the semiconductor wafer. As a result of anodization at optimal electrochemical parameters, the nanowires are not growth but the space around the nanowires are etched and the remaining nanowires have the same crystallinity and purity as used wafer. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova (AGEPI) en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject inventions en_US
dc.subject rețele de nanofire en_US
dc.subject nanofire de arseniură de galiu en_US
dc.subject semiconductor nanowires en_US
dc.subject gallium arsenide nanowires en_US
dc.title Procedeu de obţinere a nanofirelor de arseniură de galiu en_US
dc.title.alternative Technological approach for GaAs nanowires obtaining en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

  • 2021
    Ediţia a XVII-a, 17 - 20 noiembrie

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account