Abstract:
Este propusă o metodă a spectroscopiei de rezoluţie înaltă ce permite studiul dependenţelor spectrale ale dispersiei ordinare şi extraordinare a indicelui de refracţie pentru cristalele ZnAs2 în regiunea tranziţiilor excitonice. Metoda permite estimarea valorilor maselor efective ale electronilor şi golurilor . În urma studiului a fost observată schimbarea masei golurilor de la până la odată cu schimbarea temperaturii de la 10K la 230 K. Au fost determinate stările de bază şi parametrii excitonilor C şi D formaţi de către benzile V3–C1 şi V4–C1.
It is proposed a method of high resolution spectroscopy giving the possibility to study the spectral dependencies of ordinary and extraordinary dispersion of refractive index for ZnAs2 crystals in the region of excitonic transitions. The method permits to estimate the magnitudes of electrons and holes eff ective masses. It was observed the change of holes mass from down to with temperature change from 10 K up to 230K. The fundamental states and parameters of C and D excitons, which are formed by the V3–C1 and V4–C1 zones, had been determined.
Description:
Secţiunea B. Materiale, echipamente şi tehnologii industriale, mecanică, energie, electricitate, electronică. Materials, Equipment and Industrial Technology, Mechanics, Energy, Electricity, Electronics