DSpace Repository

Procedeu de obținere a mai multor rețele de pori independente însubstrat semiconductor pentru aplicații fluidice

Show simple item record

dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author URSAKI, Veaceslav
dc.contributor.author TIGINYANU, Ion
dc.date.accessioned 2022-12-13T08:22:58Z
dc.date.available 2022-12-13T08:22:58Z
dc.date.issued 2022
dc.identifier.citation MONAICO, Eduard, URSAKI, Veaceslav, TIGINYANU, Ion. Procedeu de obținere a mai multor rețele de pori independente însubstrat semiconductor pentru aplicații fluidice. In: PRO INVENT 2022. Salonul internaţional al cercetării ştiinţifice, inovării şi inventicii. ed. 20, 26 - 28 octombrie 2022, Cluj-Napoca, Romania, 2022, pp. 252-253. ISSN 2810 – 2789. en_US
dc.identifier.issn 2810 – 2789
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/21759
dc.description Lucrare brevetată - a 2022 0001 din 24.01.2022. Clasa B - Utilaje-procese industriale-metalurgie. en_US
dc.description.abstract Două rețele de pori au fost produse prin anodizarea suprafeței plachetei semiconductoare acoperite cu o mască care conține găuri: (i) o rețea de pori primari, care se propagă sub mască într-o direcție paralelă cu suprafața probei și perpendicular pe marginea la mască; (ii) o rețea de pori secundari, care se propagă inițial în orificiul măștii în direcții radiale și ulterior își schimbă direcția de propagare în direcția porilor primari. Avantajele procedeului propus constau în posibilitatea obtinerii mai multor retele de pori independente în aceeași regiune folosind echipamente accesibile și tehnologii cost-efective. Autorii aduc mulțumiri proiectelor #21.00208.5007.15/PD și #20.80009.5007.20. en_US
dc.description.abstract Two pore networks were produced at anodization of the surface of semiconductor wafer covered with a mask contains holes: (i) a network of primary pores, which propagate under the mask in a direction parallel to the surface of the sample and perpendicular to the edge of the mask; (ii) a network of secondary pores, which initially propagate in the hole of the mask in radial directions and subsequently change their direction of propagation in the direction of the primary pores. The advantages of the proposed process consist in the possibility of obtaining several independent pore networks in the same region using accessible equipment and cost-effective technologies. Authors thanks to #21.00208.5007.15/PD and #20.80009.5007.20 projects. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Universitatea Tehnica din Cluj-Napoca en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject inventions en_US
dc.subject rețele de pori en_US
dc.subject anodizare en_US
dc.subject plachete semiconductoare en_US
dc.subject aplicații fluidice en_US
dc.subject pore networks en_US
dc.subject anodization en_US
dc.subject semiconductor wafers en_US
dc.subject fluidic applications en_US
dc.title Procedeu de obținere a mai multor rețele de pori independente însubstrat semiconductor pentru aplicații fluidice en_US
dc.title.alternative Process for obtaining several non-connected pore networks in a semiconductor wafer for fluidic applications en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

  • 2022
    Ediţia XX-a, 26 - 28 octombrie

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account