Procedeu de obţinere a fotodetectorului de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de GaAs

Abstract

Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la fotodetectoare de radiaţie infraroşie. Fotodetectorul de radiaţie infraroşie include un nanofir de GaAs şi contacte metalice. Totodată, nanofirul este fabricat prin anodizarea unei plachete de GaAs, iar la capetele nanofirului sunt formate contacte ohmice de Cr/Au prin depunere cu utilizarea litografiei cu fascicul laser.

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к фотоприемникам инфракрасного излучения. Фотоприемник инфракрасного излучения включает нанонить GaAs и металлические контакты. При этом, нанонить изготовлена путем анодирования пластины GaAs, а на концах нанонити сформированы омические контакты Cr/Au путем осаждения с применением литографии лазерным пучком.

The invention relates to optoelectronics, in particular to infrared radiation photodetectors. The infrared radiation photodetector comprises a GaAs nanowire and metal contacts. At the same time, the nanowire is made by anodizing a GaAs wafer, and at the ends of the nanowire are formed ohmic Cr/Au contacts by deposition using laser beam lithography.