Procedeu de obţinere a senzorului de n -butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3

Abstract

Invenţia se referă la tehnica şi tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la senzori de n-butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3. Senzorul de n-butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3 include un substrat din sticlă (1), pe suprafaţa căruia prin metoda sintezei chimice din soluţie este depusă o peliculă din ZnO (2), iar pe suprafaţa ei prin vaporizarea termică în vid a tri-izopropilatului de Al [Al(C3H7O)3] la temperatura substratului (1) egală cu 450°C se depune pelicula de Al2O3 (3) cu grosimea de 17-20 nm, pe suprafaţa căreia sunt depuse contacte din Au-Cr (4) în formă de meandru şi prelucrate prin tratarea fotonică rapidă la T=650°C, t=30 s.

Изобретение относится к технике и технологии оксидных полупроводников, в частности к сенсорам n-бутанола на основе гетероперехода ZnO-Al2O3. Сенсор n-бутанола на основе гетероперехода ZnO-Al2O3 включает стеклянную подложку (1), на поверхность которой методом химического синтеза из раствора нанесена пленка из ZnO (2), а на ее поверхность вакуумным термическим испарением триизопропилата Al [Al(C3H7O)3] при температуре подложки (1) равной 450°C осаждается пленка Al2O3 (3) толщиной 17-20 нм, на поверхность которой осаждены меандровидные контакты из Au-Cr (4) и обработаны быстрым фотонным отжигом при T=650°C, t=30 с.

The invention relates to oxide semiconductor equipment and technology, in particular to n-butanol sensors based on ZnO-Al2O3 heterojunction. The n-butanol sensor based on ZnO-Al2O3 heterojunction comprises a glass substrate (1), on the surface of which by the chemical synthesis method from a solution is deposited a ZnO film (2), and on its surface by vacuum thermal evaporation of Al [Al(C3H7O)3] triisopropylate at the substrate temperature (1) equal to 450oC is deposited the Al2O3 film (3) with a thickness of 17-20 nm, on the surface of which meander-shaped contacts of Au-Cr (4) are deposited and processed by fast photon annealing at T=650oC, t=30 s.