DSpace Repository

Procedeu de obţinere a senzorului de n -butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3

Show simple item record

dc.contributor.author LUPAN, Oleg
dc.contributor.author MAGARIU, Nicolae
dc.contributor.author TROFIM, Viorel
dc.date.accessioned 2023-09-28T08:07:55Z
dc.date.available 2023-09-28T08:07:55Z
dc.date.issued 2023-01-31
dc.identifier.citation LUPAN, Oleg, MAGARIU, Nicolae, TROFIM, Viorel. Procedeu de obţinere a senzorului de n -butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3. Brevet MD 1666, CIB G01N 27/00, G01N 27/14, G01N 27/16, H01L 21/00, H01L 21/02, H01L 21/027. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: s 2020 0049. Data depozit: 2020.05.13. Data public.: 2023.01.31. In: BOPI. 2023, nr. 1. en_US
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/24310
dc.description.abstract Invenţia se referă la tehnica şi tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la senzori de n-butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3. Senzorul de n-butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3 include un substrat din sticlă (1), pe suprafaţa căruia prin metoda sintezei chimice din soluţie este depusă o peliculă din ZnO (2), iar pe suprafaţa ei prin vaporizarea termică în vid a tri-izopropilatului de Al [Al(C3H7O)3] la temperatura substratului (1) egală cu 450°C se depune pelicula de Al2O3 (3) cu grosimea de 17-20 nm, pe suprafaţa căreia sunt depuse contacte din Au-Cr (4) în formă de meandru şi prelucrate prin tratarea fotonică rapidă la T=650°C, t=30 s. en_US
dc.description.abstract Изобретение относится к технике и технологии оксидных полупроводников, в частности к сенсорам n-бутанола на основе гетероперехода ZnO-Al2O3. Сенсор n-бутанола на основе гетероперехода ZnO-Al2O3 включает стеклянную подложку (1), на поверхность которой методом химического синтеза из раствора нанесена пленка из ZnO (2), а на ее поверхность вакуумным термическим испарением триизопропилата Al [Al(C3H7O)3] при температуре подложки (1) равной 450°C осаждается пленка Al2O3 (3) толщиной 17-20 нм, на поверхность которой осаждены меандровидные контакты из Au-Cr (4) и обработаны быстрым фотонным отжигом при T=650°C, t=30 с. en_US
dc.description.abstract The invention relates to oxide semiconductor equipment and technology, in particular to n-butanol sensors based on ZnO-Al2O3 heterojunction. The n-butanol sensor based on ZnO-Al2O3 heterojunction comprises a glass substrate (1), on the surface of which by the chemical synthesis method from a solution is deposited a ZnO film (2), and on its surface by vacuum thermal evaporation of Al [Al(C3H7O)3] triisopropylate at the substrate temperature (1) equal to 450oC is deposited the Al2O3 film (3) with a thickness of 17-20 nm, on the surface of which meander-shaped contacts of Au-Cr (4) are deposited and processed by fast photon annealing at T=650oC, t=30 s. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală en_US
dc.rights Brevet valabil. Data expirării brevetului 13.05.2026. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject semiconductoril oxizi en_US
dc.subject senzori de n-butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3 en_US
dc.subject оксидные полупроводники en_US
dc.subject сенсоры n-бутанола на основе гетероперехода ZnO-Al2O3 en_US
dc.subject oxide semiconductors en_US
dc.subject n-butanol sensors based on ZnO-Al2O3 heterojunction en_US
dc.subject.classification IPC: G01N 27/00 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: G01N 27/14 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: G01N 27/16 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/00 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/02 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/027 (2006.01) en_US
dc.title Procedeu de obţinere a senzorului de n -butanol pe baza heterojoncţiunii ZnO-Al2O3 en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet valabil. Data expirării brevetului 13.05.2026. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet valabil. Data expirării brevetului 13.05.2026.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account