DSpace Repository

Structuri hibride metal-semiconductor în baza nanoșabloanelor de InP și GaAs pentru aplicaţii electronice şi fotonice

Show simple item record

dc.contributor.advisor TIGHINEANU, Ion
dc.contributor.author MONAICO, Elena
dc.date.accessioned 2023-11-22T08:21:48Z
dc.date.available 2023-11-22T08:21:48Z
dc.date.issued 2023
dc.identifier.citation MONAICO, Elena. Structuri hibride metal-semiconductor în baza nanoșabloanelor de InP și GaAs pentru aplicaţii electronice şi fotonice: spec. 233.01 - Nano-microelectronică și optoelectronică: tz. doct. în știinte inginerești. Cond. şt. Dumitru ŢIULEANU. Chișinău, 2023. 177 p. en_US
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/24967
dc.description Fişierele ataşate: Teza de doctor & Rezumatul tezei de doctor (Ro). en_US
dc.description.abstract Scopul lucrării: studiul comparativ al procesului de corodare electrochimică a substraturilor semiconductoare de InP și GaAs pentru identificarea particularităților de propagare a porilor, optimizarea procesului de anodizare pentru nanostructurarea în electrolit neutru și inofensiv mediului înconjurător (NaCl), prepararea structurilor hibride metal-semiconductor prin depunere electrochimică a metalelor în structurile poroase elaborate cu identificarea domeniilor lor de aplicare. Obiectivele cercetării: optimizarea procesului de corodare electrochimică a substraturilor semiconductoare de n-InP și n-GaAs în electrolit de NaCl, compararea cu anodizarea în electroliți de HCl sau HNO3; dirijarea direcției de creștere a porilor în șabloanele de InP; identificarea posibilităților de obținere a porilor CLO prin anodizarea substraturilor semiconductoare de GaAs; fabricarea rețelelor de nanofire de GaAs și testarea fotodetectorului în baza unui nanofir individual de GaAs; optimizarea procesului de depunere electrochimică în interiorul șabloanelor poroase semiconductoare, inclusiv depunerea localizată a aurului și obținerea nanomembranelor de Au prin metode electrochimice cu posibilitatea de dirijare a gradului de porozitate. en_US
dc.description.abstract Aim of the thesis: a comparative study of the electrochemical etching process of n-InP and n-GaAs semiconductor substrates to identify the particularities of pore propagation, the optimization of the anodization process for nanostructuring in neutral and environmentally friendly electrolyte (NaCl), the preparation of hybrid metal-semiconductor structures by electrochemical deposition of metals in elaborated porous structures with the identification of their fields of application. Objectives: optimization of the electrochemical etching process of InP and GaAs semiconductor substrates in NaCl electrolyte, comparison with anodization in HCl or HNO3 electrolytes; controlling the direction of pore growth in InP templates; identifying the possibilities of obtaining CLO pores by anodization in GaAs substrates; fabrication of GaAs nanowire arrays and photodetector testing based on a single GaAs nanowire; optimization of the electrochemical deposition process inside of porous semiconductor templates, including the localized deposition of gold and obtaining Au nanomembranes by electrochemical methods with the possibility to control the degree of porosity. en_US
dc.description.abstract Цель работы: сравнительное исследование процесса электрохимического травления полупроводниковых подложек InP и GaAs для выявления особенностей распространения пор, оптимизация процесса травления для наноструктурирования в нейтральном и экологически безвредном электролите (NaCl), подготовка гибридных структур металл-полупроводник путем электрохимического осаждения металлов в разработанные пористые структуры с определением областей их применения. Задачи исследования: оптимизация процесса электрохимического травления полупроводниковых подложек n-InP и n-GaAs в электролите NaCl, сравнение с травлением в электролитах HCl или HNO3; управление направлением роста пор в шаблонах InP; определение возможностей получения пор CLO путем травления полупроводниковых подложек GaAs; изготовление массивов нанонитей GaAs и тестирование фотоприемников на основе одной нанонити GaAs; оптимизация процесса электрохимического осаждения внутрь пористых полупроводниковых шаблонов, включая локализованное осаждение золота и получение наномембран из золота электрохимическими методами с возможностью управления степенью их пористости. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Universitatea Tehnică a Moldovei en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject corodare electrochimică en_US
dc.subject straturi poroase en_US
dc.subject pori orientați după liniile de curent (CLO) en_US
dc.subject electrodepunere en_US
dc.subject nanotuburi en_US
dc.subject membrane de aur en_US
dc.subject electrochemical etching en_US
dc.subject porous layers en_US
dc.subject current line oriented pores (CLO) en_US
dc.subject electrodeposition en_US
dc.subject nanotubes en_US
dc.subject gold membranes en_US
dc.subject электрохимическое травление en_US
dc.subject пористые слои en_US
dc.subject поры ориентированные вдоль линий тока en_US
dc.subject электроосаждение en_US
dc.subject платиновые нанотрубки en_US
dc.subject золотые мембраны en_US
dc.title Structuri hibride metal-semiconductor în baza nanoșabloanelor de InP și GaAs pentru aplicaţii electronice şi fotonice en_US
dc.title.alternative Hybrid metal-semiconductor structures based on InP and GaAs nanotemplates for electronic and photonic applications en_US
dc.title.alternative Гибридные металло-полупроводниковые структуры на основе наноматриц InP и GaAs для электронных и фотонных приложений en_US
dc.type Thesis en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account