Invenția se referă la tehnica și tehnologia semiconductorilor
oxizi, în particular la senzori de butanol pe baza
heteronjocțiunilor ZnO-Al2O3. Butanolul se folosește pe larg
în calitate de solvent pentru confecționarea lacurilor și
vopselelor. La n-Butanol pragul de percepție a mirosului
este la nivelul 14-16 ppm, însă limita admisibilă a
concentrației acestuia în aer ≈ 3,3 ppm. Din aceste
considerente este necesar de confecționat senzori sensibili
la concentrații mici a butanolului. Problema pe care o
rezolvă invenția propusă, constă în confecționarea unui
sensor de n-Butanol cu o sensibilitate mai mare la
concentrații mici a gazului.
The invention relates to the technique and technology of
oxide semiconductors, in particular to butanol sensors
based on ZnO-Al2O3 heteronjunctions. Butanol is widely
used as a solvent for the manufacture of varnishes and
paints. For butanol, the odor threshold is at 14-16 ppm, but
the permissible limit of its concentration in air ≈ 3.3 ppm. For
these reasons it is necessary to make sensors sensitive to
low concentrations of butanol. The problem solved by the
proposed invention is the manufacture of an n-Butanol
sensor with a higher sensitivity to low gas concentrations.